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| 世界最高速MOS晶体管 | |
| 引用本文： | 陈兆铮.世界最高速MOS晶体管[J].固体电子学研究与进展,1997(1). |
| 作者姓名： | 陈兆铮 |
| 摘 要： | 据《电子材料》1995年第3期报道，日本东芝公司采用0.0015μm超薄膜的栅氧化膜，研制成世界最高速的MOS晶体管，并可在室温下工作。该晶体管具有下列特性：（1）在1．5V低电压下，有世界最高的跨导，为1010mS／mm。（2）在0．5V低电压下，具有860ms／mm高跨导。通常，为实现低功耗的LSI而采用低电源电压，在低压下，降低了晶体管的电流驱动能力，而使LSI的工作速度下降。该晶体管在3．3V的电源电压下，与目前商品化的钟频为200MHz的最先进的MPU（跨导ZOOms／mm）相比，即使在低电压下也具有高跨导，因此，在1．5V低电压驱动下，也… |
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