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3.6微秒存储相关器读写实验及结果
作者姓名:谢兵 陈运祥
作者单位:四川压电与声光技术研究所(谢兵,陈运祥),四川压电与声光技术研究所(古雪芹)
摘    要:通过在单片式MZOS结构卷积器中制作pn结二极管阵列,制成了这种结构的存储相关器/卷积器。我们利用这种器件作了对信号的存储、相关和卷积等一系列实验,描述了器件性能及工作方式和原理,为存储相关器作为信号处理器件的应用开发提供了有益的参考。

关 键 词:存储相关 卷积器 声表面波技术
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