| 低温烧结0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5高频介质陶瓷 |
| |
| 作者单位： | 黄雯雯（华南理工大学电子材料科学与工程系,广东,广州,510640）;凌志远（华南理工大学电子材料科学与工程系,广东,广州,510640）;欧瑞江（华南理工大学电子材料科学与工程系,广东,广州,510640）;何新华（华南理工大学电子材料科学与工程系,广东,广州,510640）;张庆秋（华南理工大学电子材料科学与工程系,广东,广州,510640） |
| |
| 基金项目： | 广东省科技厅资助(合同号为A1060302) |
| |
| 摘 要： | 对添加2ZnO-B2O3玻璃实现0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5
高频介质材料900℃下低温烧结进行了系统研究.实验结果表明添加质量分数为5%～10%
2ZnO-B2O3玻璃可使体积密度达到0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5理论密度的97%以上,且介电性能优异,εr
= 58～76,tgδ≤ 3.3×10-4,αε= (329～472)×10-6/℃,ρν≥ 1012 Ω?cm.利用XRD、SEM和介电测量技术分析材料的晶相组成、显微结构和介电特性发现材料由三种晶相组成,分别是单斜型CaTiSiO5、正交型CaTiO3以及一个新相,新相的生成可能是在液相烧结后期2ZnO-B2O3
玻璃在晶界处结晶而形成,低温烧结0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5
介质材料的介电性能很好地遵循李氏对数混合法则.
|
| 关 键 词： | 高频介质陶瓷 玻璃 低温烧结 介电性能 |
| 文章编号： | 1001-2028(2003)06-0014-03 |
| 修稿时间： | 2003年2月25日 |
Low Temperature Sintered Dielectric Ceramics of 0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5
for High Frequency Application |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
|
