电场作用下Cu/Cu_3Sn界面原子扩散行为的分子动力学模拟

电子产品中的钎焊点失效可能会引起整个产品报废,这种情况下电子元器件的回收利用对节约资源意义重大。实现电子元器件的连接界面分离是其有效再利用的前提。旨在为开发可行的连接界面分离技术提供理论参考,本工作运用分子动力学方法模拟研究了电场作用下电场方向和电场强度对Cu/Cu_3Sn界面原子扩散行为的影响。结果表明,电场方向对界面原子的扩散行为有显著影响,相同条件下施加正向电场的模型比未加电场的模型更容易发生扩散。进一步研究了正向不同电场强度下界面原子的扩散行为,发现电场强度的增加提高了界面附近Cu_3Sn侧原子的本征扩散系数,降低了Cu晶体侧原子的本征扩散系数,从而使得界面原子的扩散速率差异更加显著,产生的柯肯达尔效应更明显,有利于实现Cu/Cu_3Sn界面的分离。