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WO_3纳米块薄膜光电催化性能的研究
摘    要:以钨酸钠(Na_2WO_4·2H_2O)为原料,草酸铵((NH_4)_2C_2O_4·H_2O)为辅助剂,采用水热法在FTO衬底上制备WO_3纳米块薄膜。通过X射线衍射和扫描电子显微镜对WO_3纳米块薄膜进行表征。利用光电流和光电催化测试手段,得到WO_3纳米块薄膜的光电流值和光电催化降解效率等参数,并对其进行详细分析。通过研究水热时间对WO_3纳米块薄膜光电催化性能的影响,结果显示水热生长4 h的WO_3纳米块薄膜具有良好光电流和光电催化性能。

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