| 双能态Cr+注入法制备GaCrN铁磁性薄膜 |
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| 引用本文： | 姜丽娟,王晓亮,刘超,肖红领,王翠梅,冉军学,胡国新,李建平.双能态Cr+注入法制备GaCrN铁磁性薄膜[J].半导体学报,2007,28(Z1):341-344. |
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| 作者姓名： | 姜丽娟 王晓亮 刘超 肖红领 王翠梅 冉军学 胡国新 李建平 |
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| 作者单位： | 姜丽娟（中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083）;王晓亮（中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083）;刘超（中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083）;肖红领（中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083）;王翠梅（中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083）;冉军学（中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083）;胡国新（中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083）;李建平（中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083） |
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| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程项目
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国家自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用双能态Cr 注入法结合样品的快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型、非掺杂和p型GaN薄膜样品表面注入相同剂量的Cr ,得到了厚度约200nm的铁磁性GaCrN薄膜,并用XRD,SQUID和Hall法对3种样品的微结构和磁性能进行了测试分析.实验发现:GaCrN薄膜样品的饱和磁化强度与其初始载流子浓度的大小有关,n型和p型GaN样品注入Cr 后形成GaGrN薄膜的饱和磁化强度均显著大于非有意掺杂的样品.
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 GaCrN 离子注入 铁磁性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0341-04 |
| 修稿时间： | 2006年11月22 |
Ferromagnetic GaCrN Films Fabricated by Dual-Energy Implantation of Cr+ |
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| Jiang Lijuan,Wang Xiaoliang,Liu Chao,Xiao Hongling,Wang Cuimei,Ran Junxue,Hu Guoxin,Li Jianping.Ferromagnetic GaCrN Films Fabricated by Dual-Energy Implantation of Cr+[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):341-344. |
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| Authors: | Jiang Lijuan Wang Xiaoliang Liu Chao Xiao Hongling Wang Cuimei Ran Junxue Hu Guoxin Li Jianping |
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