| 磁控溅射制备不同组分La-Ni-O薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 赵强,褚君浩.磁控溅射制备不同组分La-Ni-O薄膜的研究[J].功能材料,2003,34(6):687-689. |
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| 作者姓名： | 赵强 褚君浩 |
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| 作者单位： | 1. 华东师范大学,物理系,上海,200062;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
2. 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60223006)，上海市青年科技启明星计划资助项目(02QD14053) |
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| 摘 要： | 采用组合靶,利用射频磁控溅射在260℃的(111)Si片上面制备了不同Ni、La含量比的La Ni O薄膜。测试分析结果表明,在La含量较高时,薄膜为无定型结构,并且具有较大的电阻率。当Ni和La含量比>1∶1.44后,薄膜具有(100)择优取向的赝立方钙钛矿结构,同时具有金属导电特性。随着La过量的减少,晶面间距和面电阻都减小的很快,在Ni和La比例达到1∶1时,电阻率达到了最小值6.4Ω·μm,晶面间距也达到最小值0.389nm。随着Ni过量的增加,晶面间距和面电阻又逐步增大。在Ni过量较多时导致了NiO相和LNO(110)取向的出现。在晶面间距相同时,相对于La,Ni含量的过剩对薄膜导电性能具有较大的影响。文中对实验现象从LaNiO3薄膜的导电机理出发给出了比较合理的解释。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 La-Ni-O薄膜 制备 导电性 晶格常数 |
| 文章编号： | 1001-9731(2003)06-0687-03 |
| 修稿时间： | 2002年12月16 |
The composition dependence of the rf-magnetron sputtered La-Ni-O films |
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| ZHAO Qiang.The composition dependence of the rf-magnetron sputtered La-Ni-O films[J].Journal of Functional Materials,2003,34(6):687-689. |
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| Authors: | ZHAO Qiang |
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| Affiliation: | ZHAO Qiang~ |
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| Keywords: | LaNiO_3 films electric conductivity lattice constant |
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