C和SiC掺杂对分步反应法制备MgB_2块体和线材微观结构的影响（英文）

通过两步反应法制备了C和SiC掺杂的MgB_2块材和线材。首先,按一定比例均匀混合Mg粉、B粉和C或SiC粉,压块后在900℃密闭氩气条件下烧结2 h,得到C或SiC掺杂的MgB 4块体;将一次烧结后的MgB_4块体磨碎过筛,和补充的Mg粉混合作为前驱粉末制备MgB_2,MgB_2块体在密闭氩气条件下750℃烧结2 h而MgB_2线材在密闭氩气条件下680℃烧结2 h。同时采用传统的固态烧结法制备了C或SiC掺杂的Mg B2块体以作对比。对烧结后的样品进行了微观结构和相组成等分析检测。分步反应法与以往的固态烧结法相比,不仅因降低了Mg元素的影响而提高样品组织致密性,更因其采用了分步混合粉末而大大地提高了元素掺杂的均匀性。和SiC掺杂相比,C掺杂能更有效地进入MgB_2晶粒和晶界。