| 热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究 |
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| 引用本文： | 刘力锋,杨瑞霞,郭惠.热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究[J].红外技术,2002,24(1):30-33. |
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| 作者姓名： | 刘力锋 杨瑞霞 郭惠 |
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| 作者单位： | 河北工业大学,电气信息学院,天津,300130 |
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| 基金项目： | 河北省自然科学基金资助项目 (1 950 51 ) |
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| 摘 要： | 对非掺杂（ND）半绝缘（SI）液封直拉（LEC）GaAs单晶在500－1170℃温度范围进行了单步和多步的热处理和淬火，研究了热处理及淬火对GaAs中EL2浓度的影响，了热处理及淬火影响EL2浓度的机理。
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| 关 键 词： | 半绝缘砷化镓 热处理 淬火 EL2浓度 砷沉淀 |
| 文章编号： | 1001-8891(2002)01-0030-04 |
| 修稿时间： | 2001年7月2日 |
Study on Mechanism of Efects on El2 in GaAs by Annealing and Quenching |
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| LIU Li feng,YANG Rui xia,GUO Hui.Study on Mechanism of Efects on El2 in GaAs by Annealing and Quenching[J].Infrared Technology,2002,24(1):30-33. |
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| Authors: | LIU Li feng YANG Rui xia GUO Hui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Semi insulating GaAs Annealing Quenching EL2 concentration As precipitation |
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