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| 中科院物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底 | |
| 作者姓名： | Scott |
| 摘 要： | 碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓(GaN)的晶格失配小,SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。为降低器件成本,下游产业对SiC单晶衬底提出了大尺寸的要求,目前国际市场上已有6英寸(150mm)产品,预计市场份额 |
| 关 键 词： | 硅单晶 肖特基二极管 功率电子器件 器件成本 击穿场强 氮化镓 晶格失配 禁带 中科院物理所 晶体研究 |
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