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| Ⅲ A元素掺杂对ZnO电子结构的影响 | |
| 引用本文： | 郭茂田,李丽,张晓芳.Ⅲ A元素掺杂对ZnO电子结构的影响[J].四川激光,2007,28(5):32-33. |
| 作者姓名： | 郭茂田 李丽 张晓芳 |
| 作者单位： | 中国科学院安徽物质科学研究院,合肥,230031;郑州大学物理工程学院,郑州,450052;郑州大学物理工程学院,郑州,450052 |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理缀加投影波赝势法,分别对ZnO、掺B、Al、Ga、In的ZnO的电子结构进行计算.与未掺杂ZnO相比,Ⅲ A族元素掺杂ZnO的光学带隙变宽,可见光透光能力增强、费米能级进入导带,导电能力提高,适合作透明导电膜,其中Ga掺杂ZnO的透明性和导电性更好,最适合做透明导电膜. |
| 关 键 词： | ZnO 掺杂 电子结构 态密度 光学带隙 |
| 文章编号： | 0253-2743（2007）05-0032-02 |
| 修稿时间： | 2007-04-15 |
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