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| 512×320位面阵电荷耦合摄象器件研制成功 | |
| 摘 要： | 电荷耦合器件(CCD)在摄象方面的应用是很成功的。我所继研制成功150×120位N沟三相硅交迭栅帧转移结构摄象器件之后,又于今年4月底研制出512×320位的大面积器件,采用同150×120器件同样的结构,用四次布线,八次光刻制成。器件采用P型(100)面单晶硅片,电阻率为20～30Ω.cm。芯片面积为16.1×10.4 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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