| 掺杂比与热处理温度对锡锑氧化物结构与电性能的影响 |
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| 引用本文： | 吴春春,杨辉,何新波,陆文伟.掺杂比与热处理温度对锡锑氧化物结构与电性能的影响[J].硅酸盐学报,2002,30(Z1):1-3. |
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| 作者姓名： | 吴春春 杨辉 何新波 陆文伟 |
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| 作者单位： | 1. 浙江大学材料科学与工程系,杭州,310027
2. 宁波际荣电子新材料有限公司,浙江,余姚,315491 |
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| 摘 要： | 采用水热法制备锡锑氧化物(ATO)纳米粉,利用XRD方法研究不同Sb-Sn掺杂比及热处理温度对ATO结构和电性能的影响.实验结果显示掺杂摩尔分数n(Sb)∶n(Sn)=4%～8%时达到最佳导电性能, 随温度升高, 电阻率降低.
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| 关 键 词： | 锡锑氧化物纳米粉 水热合成 掺杂比 热处理温度 |
| 文章编号： | 0454-5648(2002)S0-0001-03 |
| 修稿时间： | 2002年3月11日 |
EFFECTS OF DOPING RATE AND TREATMENT TEMPERATURE ON ELECTRICAL PROPERTIES AND STRUCTURE OF ANTIMONY DOPED TIN OXIDE |
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