| N、0、Ga、Mg和Si离子注入n型GaN样品的光致发光谱中蓝光发射带的研究 |
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| 引用本文： | 张小东,李公平,张利民,尤伟,张宇,刘正民,林德旭.N、0、Ga、Mg和Si离子注入n型GaN样品的光致发光谱中蓝光发射带的研究[J].核技术,2006,29(11):835-837. |
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| 作者姓名： | 张小东 李公平 张利民 尤伟 张宇 刘正民 林德旭 |
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| 作者单位： | [1]兰州大学现代物理系,兰州730000 [2]中国科学院高能物理研究所,北京100049 |
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| 摘 要： | 采用光致发光手段研究了几种不同注入离子N、O、Mg、Si和Ga对n型GaN蓝光发射带的影响。其中离子的注入剂量分别为10^13、10^14、10^15和10^16cm^-2，注入温度为室温。注入后的样品在900℃流动氮气环境下进行10min的热退火。通过对实验测得的光致发光谱的分析，给出了不同注入离子对n型GaN蓝光发射带的影响随注入剂量的变化关系以及该影响的相对强弱，进而确定蓝光发射起源于注入离子引入的间位缺陷。
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| 关 键 词： | 氮化镓 光致发光谱 离子注入 |
| 收稿时间： | 02 27 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 2006-02-272006-05-09 |
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