| 一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计 |
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| 引用本文： | 李春燕,杨发顺,马奎,王代强. 一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计[J]. 电子设计工程, 2013, 21(7): 115-117 |
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| 作者姓名： | 李春燕 杨发顺 马奎 王代强 |
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| 作者单位： | 贵州大学理学院,贵州贵阳,550025 |
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| 摘 要： | 提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过sil-vaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。
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| 关 键 词： | LDMOS 击穿电压 漂移区 雪崩击穿 |
Design of LDMOS device for breakdown protection in RF IC |
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| LI Chun-yan , YANG Fa-shun , MA Kui , WANG Dai-qiang. Design of LDMOS device for breakdown protection in RF IC[J]. Electronic Design Engineering, 2013, 21(7): 115-117 |
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| Authors: | LI Chun-yan YANG Fa-shun MA Kui WANG Dai-qiang |
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| Affiliation: | (College of Science,Guizhou University,Guiyang 550025,China) |
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| Abstract: | |
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