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| 用于pin-FET光纤接收器中的InGaAs光电二极管和GaAs FET的可靠性 | |
| 作者姓名： | D. G. Jenkins 李庆文 |
| 作者单位： | 普莱希研究有限公司 |
| 摘 要： | 业已表明,用GaInAs-pin光电二极管与GaAs FET前置放大器结合的光接收器的性能,可与雪崩二极管接收器相当。此外,pin-FET接收器还有工作电压低和不需要温度补偿之优点。既然制作低噪声长波长雪崩光电二极管(APD)遇到了一些困难,而pin-FET接收器又有这许多优点,所以在一些长波长光纤传输系统中自然要使用它,实际上也已经使用了pin-FET接收器。因此,这就自然引起了对接收器元件、特别是GaInAs-pin光电二极管和GaAs FET可靠性的注意。但是目前还没有人完成这方面的工作。在本文中,我们报告GaInAs-pin光电二 |
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