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| IR DirectFET MOSFET芯片组使功率密度翻番 | |
| 引用本文： | 苏珊.IR DirectFET MOSFET芯片组使功率密度翻番[J].电子设计应用,2003(10):99-99. |
| 作者姓名： | 苏珊 |
| 摘 要： | 对主板设计者来说最需要解决的是散热问题,DC-DC转换器对电流、功率密度要求日益提高,以及英特尔公司CPU电压调整模块(VRM)规格发展的推动,供应商不断加紧新一轮功率MOSFET的研发,推出革命性的崭新工具。国际整流器公司(IR)近日推出超小体积DirectFET MOSFET芯片组──IRF6608、IRF6618,分别为控制和同步MOSFET,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x大电流同步降压转换器。IRF6608封装体积仅有SO-8封装的一半,由于采用专利的钝化技术,封装高度只有 0.7mm,远小于SO-8封装的1.75mm,是首… |
| 关 键 词： | DC-DC转换器 钝化技术 IRDirectFETMOSFET芯片组 功率密度 |
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