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| 安森美半导体推出SmartDiscrete功率MOSFET | |
| 摘 要： | 安森美半导体推出的自护式SmartDiscrete器件,是低边、自钳位、46V、48-185毫欧MOSFET。该新品采用HDPlus芯片工艺制造,集成了电流限制保护、过热关断、过压保护以及静电放电(ESD)保护等多种功能,针对高功率、短路情况的应用,该新品结合了漏极电流感应与限制,在负载短路的情况下,电流限制电路保护可阻止电流尖峰,且温度电路监测接点温度将在到达某设定点时(典型值为175℃)关断器件。此外其内部温度限制电路设计,在接点温度降低约15℃时自动接通主MOSFET,从而使得器件不断进行热循环,直到短路情况被修正,为要求苛严的汽车和工业应用… |
| 关 键 词： | 功率MOSFET SmartDiscrete器件 漏极电流 安森美半导体公司 |
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