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| Si衬底上生长的GaAs薄膜中0．96eV发光带的特性研究 | |
| 引用本文： | 赵家龙,靳春明,高瑛,刘学彦,窦恺,黄世华,虞家琪,梁家昌,高鸿楷..Si衬底上生长的GaAs薄膜中0．96eV发光带的特性研究[J].半导体学报,1996,17(6):410-415. |
| 作者姓名： | 赵家龙 靳春明 高瑛 刘学彦 窦恺 黄世华 虞家琪 梁家昌 高鸿楷. |
| 作者单位： | [1]中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室 [2]中国民用航空学院 |
| 摘 要： | 利用变温和变激发强度的近红外光致发光，研究了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中０．９６ｅＶ发光带的发光特性，讨论了其来源．根据０．９６ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随温度和激发强度的变化关系，获得了其热激活能，Ｈｕａｎｙ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移．实验结果表明０．９６ｅＶ发光带可能来源于砷空位施主－镓空位受主对之间的跃迁． |
| 关 键 词： | 硅衬底 砷化镓薄膜 发光带 薄膜生长 |
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