| n-GaN上Ti/Al电极的表面处理与退火 |
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| 引用本文： | 刘磊,陈忠景,何乐年. n-GaN上Ti/Al电极的表面处理与退火[J]. 半导体光电, 2004, 25(2): 158-161 |
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| 作者姓名： | 刘磊 陈忠景 何乐年 |
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| 作者单位： | 浙江大学,信息与电子工程学系,浙江,杭州,310027;浙江大学,信息与电子工程学系,浙江,杭州,310027;浙江大学,信息与电子工程学系,浙江,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 实验研究了不同表面处理方法和不同退火条件对GaN上的Ti/Al电极的影响,用CH3CSNH2/NH4OH处理后的GaN材料的荧光光谱强度最高,在该材料上制作的Ti/Al电极的欧姆接触电阻率最小.通过欧姆接触电阻率,I-V曲线,X射线衍射等手段,分析了GaN与Ti/Al 电极接触表面在退火过程中的固相反应,提出了二次退火的方法.
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| 关 键 词： | GaN 欧姆接触 表面处理 退火 |
| 文章编号： | 1001-5868(2004)02-0158-04 |
| 修稿时间： | 2003-09-24 |
Surface Treatment and Annealing of Ti/Al Ohmic Contact on n-GaN |
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| LIU Lei,CHEN Zhong-jing,HE Le-nian Dept. of Iuformation Science aud Electronic Engineering,Zhejiang University,Hangzhou ,CHN. Surface Treatment and Annealing of Ti/Al Ohmic Contact on n-GaN[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2004, 25(2): 158-161 |
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| Authors: | LIU Lei CHEN Zhong-jing HE Le-nian Dept. of Iuformation Science aud Electronic Engineering Zhejiang University Hangzhou CHN |
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| Affiliation: | LIU Lei,CHEN Zhong-jing,HE Le-nian Dept. of Iuformation Science aud Electronic Engineering,Zhejiang University,Hangzhou 310027,CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN Ohmic contact surface treatment annealing |
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