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脉冲准分子激光扫描沉积(PLD)高c轴取向V_2O_5/Si薄膜及结构分析
引用本文:方国家,刘祖黎,王又青,周远明,姚凯伦. 脉冲准分子激光扫描沉积(PLD)高c轴取向V_2O_5/Si薄膜及结构分析[J]. 硅酸盐学报, 2001, 0(1)
作者姓名:方国家  刘祖黎  王又青  周远明  姚凯伦
作者单位:华中科技大学激光技术国家重点实验室!武汉430074 华中科技大学物理系,武汉430074 襄樊学院,湖北襄樊44105,华中科技大学物理系!武汉430074,华中科技大学激光技术国家重点实验室!武汉430074,襄樊学院!湖北襄樊441053,华中科技大学激光技术国家重点实验室!武汉430074 华中科技大
基金项目:国家自然科学基金资助项目!(19775 0 16),湖北省自然科学基金资助项目!(99J0 49)
摘    要:采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术 ,在Si(111)单晶衬底上沉积了多晶V2 O5 薄膜 ,经 3 0 0℃以上退火处理得到了具有高c -轴取向生长的V2 O5 薄膜 .3 0 0℃以上热退火处理的薄膜表面具有正常的化学计量比 (无氧缺位 ) ,晶粒间界明显 ,晶粒呈针棒状 ,晶粒尺寸在10 0~ 2 0 0nm之间 .采用X射线衍射 (XRD)、Raman光谱 (RS)、Fourier红外光谱 (FT -IR)及透射电镜扫描附件 (STEM )对沉积及不同温度下退火处理的样品进行了结构分析 .研究结果表明 :V2 O5 /Si薄膜经 40 0℃热处理后表面部分处于低价态的钒离子已被氧化为V2 O5 .

关 键 词:五氧化二钒薄膜  高c-轴取向  脉冲准分子激光沉积  结构分析

PREPARATION AND STRUCTURAL PROPERTIES OF HIGHLY c-AXIS ORIENTED V_2O_5 THIN FILMS BY PULSED LASER DEPOSITION
Fang Guojia ,,,Liu Zuli ,Wang Youqing ,Zhou Yuanming ,Yao Kailun ,. PREPARATION AND STRUCTURAL PROPERTIES OF HIGHLY c-AXIS ORIENTED V_2O_5 THIN FILMS BY PULSED LASER DEPOSITION[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2001, 0(1)
Authors:Fang Guojia       Liu Zuli   Wang Youqing   Zhou Yuanming   Yao Kailun   
Affiliation:Fang Guojia 1,2,3,Liu Zuli 2,Wang Youqing 1,Zhou Yuanming 3,Yao Kailun 1,2,4
Abstract:
Keywords:vanadium oxide thin films  highly c -axis oriented growth  pulsed laser deposition technique  structural analyses
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