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| 短沟道CMOS／SOI器件加固技术研究 | |
| 引用本文： | 张兴,奚雪梅,王阳元.短沟道CMOS／SOI器件加固技术研究[J].半导体学报,1996,17(9):689-692. |
| 作者姓名： | 张兴 奚雪梅 王阳元 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 通过大量辐照实验分析了采用不同工艺和不同器件结构的薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗辐照特性，重点分析了Ｈ２－Ｏ２合成氧化和低温干氧氧化形成的薄栅氧化层、ＣｏＳｉ２／多晶硅复合栅和多晶硅栅以及环形栅和条形栅对ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件辐照特性的影响，最后得到了薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗核加固方案． |
| 关 键 词： | CMOS／SOI器件 加固 半导体器件 |
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