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一种适用于高速电路中SSN抑制的紧凑型电磁带隙新结构
引用本文:史凌峰, 侯斌. 一种适用于高速电路中SSN抑制的紧凑型电磁带隙新结构[J]. 电子与信息学报, 2011, 33(9): 2283-2286. doi: 10.3724/SP.J.1146.2011.00022
作者姓名:史凌峰  侯斌
作者单位:西安电子科技大学超高速电路设计与电磁兼容教育部重点实验室 西安710071西安电子科技大学电路CAD所 西安710071
基金项目:国家自然科学基金(60876023); 国家重点实验室基金资助课题
摘    要:该文根据电磁带隙(EBG)结构的带隙形成机理以及共面EBG结构的等效电路,提出了一种适用于高速电路中同步开关噪声(SSN)抑制的紧凑型EBG结构,使用Ansoft HFSS对该结构进行仿真分析。仿真结果表明在抑制深度为-30 dB时,阻带范围为0.6-6.4 GHz,阻带带宽为5.8 GHz,与传统的L-bridge结构相比,阻带带宽增加了1.8 GHz,相对带宽增加了45%,实现了较低的带隙中心频率以及较宽的阻带带宽,并用Ansoft Designer通过时域仿真验证该结构具有较好的信号完整性。

关 键 词:电磁带隙   同步开关噪声   信号完整性   阻带
收稿时间:2011-01-11
修稿时间:2011-05-13

A Novel Compact Electromagnetic Band-gap Structure Using for SSN Suppression in High Speed Circuits
Shi Ling-Feng, Hou Bin. A Novel Compact Electromagnetic Band-gap Structure Using for SSN Suppression in High Speed Circuits[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2011, 33(9): 2283-2286. doi: 10.3724/SP.J.1146.2011.00022
Authors:Shi Ling-feng  Hou Bin
Abstract:According to the physical mechanism of the Electromagnetic Band-Gap(EBG) structure and the equivalent circuit model of the planar EBG structure,a novel compact EBG structure is proposed for Simultaneous Switching Noise(SSN) suppression in high speed circuits.-30 dB stop-band is from 0.6 GHz to 6.4 GHz,and the bandwidth is 5.8 GHz.Comparing with the traditional L-bridge EBG structure,the bandwidth increases by 1.8 GHz and the relative bandwidth increases by 45%.A low band-gap center frequency and wide bandwi...
Keywords:Electromagnetic Band-Gap(EBG)  Simultaneous Switching Noise(SSN)  Signal integrity  Stop-band  
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