| 氮化镓异质结高能电子辐照的电子背散射衍射研究 |
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| 引用本文： | 马通达,左玉婷,张智慧,付雪涛,张崇宏,张丽卿,王新强. 氮化镓异质结高能电子辐照的电子背散射衍射研究[J]. 电子显微学报, 2011, 0(Z1) |
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| 作者姓名： | 马通达 左玉婷 张智慧 付雪涛 张崇宏 张丽卿 王新强 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院;中国科学院近代物理研究所;北京大学; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.50872013,No.10575124,No.10979063) |
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| 摘 要： | 利用2MeV电子辐照氮化镓(GaN)异质结,辐照剂量分别为1×1015/cm2和5×1015/cm2。电子背散射衍射(EBSD)菊池图的图像质量IQ值随辐照剂量的增加而增大,对应的表层应变或畸变减小。扫描电镜能谱(SEM/EDS)分析发现氧原子在外延层心部发生富集,表明高能电子辐照在GaN外延层内引入晶格损伤。表层应变状态的改变与杂质扩散和辐照点缺陷的引入直接相关,其中晶格损伤是影响表面应变状态的主要因素。
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| 关 键 词： | 氮化镓异质结 高能电子辐照 EBSD |
Investigation on high-energy electron irradiation on GaN heterostructure by EBSD |
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| MA Tong-da,ZUO Yu-ting,ZHANG Zhi-hui,FU Xue-tao,ZHANG Chong-hong,ZHANG Li-qing,WANG Xin-qiang. Investigation on high-energy electron irradiation on GaN heterostructure by EBSD[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 2011, 0(Z1) |
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| Authors: | MA Tong-da ZUO Yu-ting ZHANG Zhi-hui FU Xue-tao ZHANG Chong-hong ZHANG Li-qing WANG Xin-qiang |
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| Affiliation: | MA Tong-da1,ZUO Yu-ting1,ZHANG Zhi-hui1,FU Xue-tao1,ZHANG Chong-hong2,ZHANG Li-qing2,WANG Xin-qiang3(1.General Research Institute for Nonferrous Metals,Beijng 100088,2.Institute of Modern Physics,Chinese Academy of Sciences,Lanzhou Gansu 730000,3.Peking University,Beijing 100871,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN heterostructure high-energy electron irradiation EBSD |
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