| 基于MOS Model 20的RF-SOI LDMOS大信号建模 |
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| 引用本文： | 王皇,孙玲玲,余志平,刘军.基于MOS Model 20的RF-SOI LDMOS大信号建模[J].半导体学报,2008,29(10):1922-1927. |
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| 作者姓名： | 王皇 孙玲玲 余志平 刘军 |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室，杭州 310037;杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室，杭州 310037;清华大学微电子学研究所，北京 100084;杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室，杭州 310037 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号:60706002)~~ |
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| 摘 要： | 提出了一种新的基于Philips MOS Model 20 (MM20) 的RF-SOI (radio frequency silicon-on-insulator) LDMOS (laterally diffused MOS) 大信号等效电路模型. 描述了弱雪崩效应以及由热效应引起的功率耗散现象. 射频寄生元件由实验测得的S参数解析提取，并通过必要的优化快速准确地获得最终值. 模型的有效性是通过一20栅指 (每指栅长L=1μm，宽W=50μm) 体接触高阻RF-SOI LDMOS在直流,交流小信号和大信号条件下的实验数据验证的. 结果表明，直流、S参数 (10MHz~20.01GHz) 以及功率特性的仿真和实验测得数据能够很好地拟合，说明本文提出的模型具有良好和可靠的精度. 本文完成了对MM20在RF-SOI LDMOS大信号应用领域的拓展. 模型由Verilog-A描述，使用ADS (hpeesofsim)电路仿真器.
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| 关 键 词： | RF-SOI LDMOS 大信号模型 MOS Model 20 谐波功率 Verilog-A |
| 收稿时间： | 3/27/2008 3:51:10 PM |
| 修稿时间： | 6/23/2008 3:27:04 PM |
MOS Model 20 Based RF-SOI LDMOS Large-Signal Modeling |
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| Wang Huang,Sun Lingling,Yu Zhiping and Liu Jun.MOS Model 20 Based RF-SOI LDMOS Large-Signal Modeling[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(10):1922-1927. |
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| Authors: | Wang Huang Sun Lingling Yu Zhiping and Liu Jun |
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| Affiliation: | Key Laboratory of RF Circuits and Systems,Ministry of Education,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310037,China;Key Laboratory of RF Circuits and Systems,Ministry of Education,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310037,China;Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China;Key Laboratory of RF Circuits and Systems,Ministry of Education,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310037,China |
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| Abstract: | A novel large-signal equivalent circuit model of RF-SOI LDMOS based on Philips MOS Model 20(MM20)is presented.The weak avalanche effect and the power dissipation caused by self-heating are described.The RF parasitic elements are extracted directly from measured S-parameters with analytical methods.Their final values can be obtained quickly and accurately through the necessary optimization.The model is validated in DC,AC small-signal,and large-signal analyses for an RF-SOI LDMOS of 20-fingers(channel mask le... |
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| Keywords: | RF-SOI LDMOS large-signal model MOS Model 20 harmonic power Verilog-A |
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