| 氮化铪在蓝宝石衬底上的镀膜研究 |
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| 引用本文： | 李玉磊,李吉光,徐一舟,陈小源,奚衍罡. 氮化铪在蓝宝石衬底上的镀膜研究[J]. 材料导报, 2016, 30(Z2): 68-71 |
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| 作者姓名： | 李玉磊 李吉光 徐一舟 陈小源 奚衍罡 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海高等研究院, 上海 201210;中国科学院大学, 北京 100049,浙江谷丰科技有限公司, 杭州 310011,浙江谷丰科技有限公司, 杭州 310011,中国科学院上海高等研究院, 上海 201210;中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院上海高等研究院, 上海 201210;中国科学院大学, 北京 100049 |
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| 基金项目： | 中国科学院百人计划择优基金(Y522711401) |
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| 摘 要： | 利用反应式磁控溅射镀膜系统在蓝宝石衬底上制备了氮化铪(HfxN)薄膜,系统研究了氮气流量fN和镀膜温度Ts对HfxN薄膜的物相组成、晶体结构和电学性质的影响。实验结果表明,在fN=3sccm时,可以在蓝宝石衬底上获得化学计量比接近1的HfxN薄膜,方块电阻为5.24Ω/sq;X射线衍射光谱(XRD)结果显示薄膜为岩盐结构的δ-HfN相;提高镀膜温度可以显著提高HfxN薄膜在蓝宝石衬底上的晶体质量,并且薄膜趋于(111)方向单晶生长;原子力显微镜(AFM)显示薄膜表面平整,均方根粗糙度Rq=0.193nm。
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| 关 键 词： | 蓝宝石衬底 氮化铪 岩盐结构 反应式磁控溅射 |
Hafnium Nitride Thin Films Deposition Study on (0001) Flat Sapphire Substrate Using Reactive Magnetron Sputtering |
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| LI Yulei,LI Jiguang,XU Yizhou,CHEN Xiaoyuan and XI Yangang. Hafnium Nitride Thin Films Deposition Study on (0001) Flat Sapphire Substrate Using Reactive Magnetron Sputtering[J]. Materials Review, 2016, 30(Z2): 68-71 |
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| Authors: | LI Yulei LI Jiguang XU Yizhou CHEN Xiaoyuan XI Yangang |
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| Affiliation: | Shanghai Advanced Research Institute,Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049,Zhejiang Goforward Technology Co.,Ltd., Hangzhou 310011,Zhejiang Goforward Technology Co.,Ltd., Hangzhou 310011,Shanghai Advanced Research Institute,Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049 and Shanghai Advanced Research Institute,Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | sapphire hafnium nitride rock salt structure reactive magnetron sputtering |
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