| 集成电子薄膜材料研究进展 |
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| 引用本文： | 李言荣,张万里,刘兴钊,朱俊,闫裔超.集成电子薄膜材料研究进展[J].中国材料进展,2013,32(2). |
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| 作者姓名： | 李言荣 张万里 刘兴钊 朱俊 闫裔超 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 首先分析了当前我国电子信息产业的现状,特别是电子材料与元器件行业的状况,结合国际上电子信息技术的发展趋势,阐述了研究集成电子材料的重要意义.文章结合作者的工作主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况,采用TiO2(诱导层)/MgO(阻挡层)组合缓冲层的方法控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,保护GaN基半导体材料的性能,降低介电/GaN集成薄膜界面态密度,建立界面可控的相容性生长方法.通过集成结构的设计与加工,研制出介电增强型GaN HEMT器件、高耐压GaN功率器件原型以及一体化集成的微波电容、变容管、压控振荡器、混频器等新型元器件.
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| 关 键 词： | 薄膜技术 电子材料 电子器件 |
Recent Progress on Integrated Electronic Thin Films Materials |
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| Authors: | LI Yanrong ZHANG Wanli LIU Xingzhao ZHU Jun YAN Yichao |
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