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| 半绝缘ZnSe衬底上的外延双生长ZnSe | |
| 引用本文： | 张英芹.半绝缘ZnSe衬底上的外延双生长ZnSe[J].液晶与显示,1989(3). |
| 作者姓名： | 张英芹 |
| 摘 要： | 目前对ZnSe材料的研究工作不断深入,因为ZnSe是一种有潜力的蓝色发光二极管材料,具有2.67eV的直接带隙。从过去的实践中可以看出。高质量的ZnSe单晶是很难生长的。由于良好的光电器件需要高质量的材料,因此需要有不同的制备方法以获得高质量的ZnSe单晶。除了生长高质量ZnSe体单晶外,也有其它的方法,如GaAs或其它衬底上的ZnSe外延生长也可以用来生长ZnSe光电器件用的外延层。但很少有人用ZnSe衬底来生长外延层。为了更进一步地了 |
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