基于偏心槽对芯片结构涡流效应的设计策略

现行的霍尔传感器是将一块闭合的金属芯片封装而成,在交变的磁场作用下金属基板会产生涡流磁场,随着频繁的开关和输出电流频繁变换,将使霍尔芯片受到的实际磁场因涡电流产生的磁场相抵消而有所减少,导致电压输出误差较大以及响应时间较慢,针对现有市面上的霍尔传感器封装结构中的芯片易产生涡电流效应,导致芯片输出电压值误差较大和输出电压响应时间较慢的问题,研究提出一种基于偏心槽的霍尔传感器芯片封装结构设计,通过磁场仿真软件分析和di/dt设备对比测试,验证了本新型封装结构相比现有封装结构能有效抑制和降低芯片涡电流效应、降低电压输出误差和响应时间、提高霍尔传感器的带宽及技术性能。