| CF4等离子处理在低温硅片直接键合中的应用 |
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| 引用本文： | 霍文晓,徐晨,杨道虹,赵林林,赵慧,沈光地.CF4等离子处理在低温硅片直接键合中的应用[J].半导体技术,2006,31(4):250-252,263. |
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| 作者姓名： | 霍文晓 徐晨 杨道虹 赵林林 赵慧 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022 |
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| 摘 要： | 键合前用CF4等离子体对硅片表面进行处理,经亲水处理后,完成对硅片的预键合.再在N2保护下进行40h 300℃退火,获得硅片的低温直接键合.硅片键合强度达到了体硅的强度.实验表明,CF4对硅片的处理不仅可以激活表面,而且可以对硅片表面进行有效的抛光,大大加强了预键合的效果.
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| 关 键 词： | 微电子机械系统 低温 直接键合 等离子体 离子处理 低温硅片直接键合 应用 Direct Bonding Silicon Low Temperature Plasma Activation 效果 加强 抛光 硅片表面 激活 实验 键合强度 体硅 退火 保护 亲水处理 等离子体 |
| 文章编号： | 1003-353X（2006）04-0250-03 |
| 收稿时间： | 2005-06-24 |
| 修稿时间： | 2005-06-24 |
Application of CF4 Plasma Activation in Low Temperature Silicon Direct Bonding |
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| HUO Wen-xiao,Xu Chen,YANG Dao-hong,ZHAO Lin-lin,ZHAO Hui,SHEN Guang-di.Application of CF4 Plasma Activation in Low Temperature Silicon Direct Bonding[J].Semiconductor Technology,2006,31(4):250-252,263. |
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| Authors: | HUO Wen-xiao Xu Chen YANG Dao-hong ZHAO Lin-lin ZHAO Hui SHEN Guang-di |
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| Affiliation: | College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology Beijing Optoelectronie Technology Laboratory, Beijing 100022, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MEMS low temperature directly bonding plasma |
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