| 薄膜厚度对NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀多层膜的磁阻效应的影响 |
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| 引用本文： | 吴丹丹,李佐宜,邱进军,卢志红.薄膜厚度对NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀多层膜的磁阻效应的影响[J].信息记录材料,1999(1). |
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| 作者姓名： | 吴丹丹 李佐宜 邱进军 卢志红 |
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| 作者单位： | 华中理工大学电子科学与技术系!武汉，430074，华中理工大学电子科学与技术系!武汉，430074，华中理工大学电子科学与技术系!武汉，430074，中国科学院上海冶金所!上海，200050 |
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| 基金项目： | 国家教委部门开放研究实验室资助!“上海交通大学薄膜与微细技术实验室” |
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| 摘 要： | 用射频磁控溅射方法制备多层膜，研究了双层膜NiO／NiFe的矫顽力Hc和交换耦合场Hex与反铁磁层NiO、铁磁层NiFe厚度的关系。结果表明：NiO厚度为70nm时，Hex最大；Hc随NiO厚度增大而增大。当NiFe厚度增加时，Hex近似线性减小；而矫顽力则随NiFe厚度增大开始有缓慢增加，然后才减小。对于NiO（70nm）／NiFe（t1nm）／Cu（2．2nm）／NiFe（t2nm）自旋阀多层膜材料，研究了NiFe膜厚度对磁阻效应的影响。结果表明：被钉扎层NiFe的厚度为3nm时，自由层NiFe的厚度为5nm时，MR值分别最大，约为1．6％。
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| 关 键 词： | 磁阻效应 矫顽力 交换耦合场 |
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