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| 锗雪崩光电二极管(Ge-APD) | |
| 作者姓名： | 李士青 祁天佑 |
| 作者单位： | 重庆光电技术研究所(李士青)，重庆光电技术研究所(祁天佑) |
| 摘 要： | 本文叙述了用全离子注入技术制作的p~+n Ge-APD。其光谱响应范围0.75—1.7μm。在1.28μm波长下,量子效率高达88%。M=10时过剩噪声因子一般为8～9,最小达到7.0dB。响应时间为:上升时间t_r=120PS、半宽τ=220PS,下降时间t_f=200PS。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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