|
|||||
|
|
| 0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计 | |
| 作者姓名： | 刘红侠 刘青山 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助，教育部新世纪优秀人才计划资助，国家部委预研基金资助，西安应用材料创新基金资助 |
| 摘 要： | 为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度,使得保护电路能够及时关闭,避免箝位器件栅极电流保持过长时间,保护了箝位器件的栅极.此外,该电路采用0.18μm CMOS工艺下的普通器件,节省了电路的成本. |
| 关 键 词： | 静电放电 保护电路 反馈 动态传输 |
| 收稿时间： | 2008-06-23 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《西安电子科技大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《西安电子科技大学学报(自然科学版)》下载全文 | |