正交法制作50μm/50μm精细线路工艺参数的优化 |
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作者姓名: | 何杰 何为 黄雨新 冯立 徐缓 周华 罗旭 戴冠军 |
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作者单位: | 1. 电子科技大学,四川 成都 610054 2. 博敏电子股份有限公司,广东 梅州 514000 |
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摘 要: | 在公司批量生产HDI板最小线宽/间距为75μm/75μm能力的基础上制作了线宽/间距为50μm/50μm的精细线路,试验用LDI曝光机曝光后再用正交试验法的L9(3^4)正交表安排了显影速度、蚀刻速度、显影压力、蚀刻压力四因素试验,选取线宽和蚀刻因子作为指标。通过对两个指标的综合分析,试验得到最佳工艺参数为:显影速度为4.0m/min,显影上压力为0.18MPa,下压力为0.15MPa,蚀刻速度为4.5m/min,蚀刻上压力为O.28MPa,下压力为0.25MPa。
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关 键 词: | 精细线路 LDI曝光 优化试验法 最佳参数 |
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