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| 工艺参数对ITO膜电阻率和透射率的影响 | |
| 作者姓名： | 张怀武 许武毅 |
| 作者单位： | 电子科技大学，电子科技大学 成都 610054，成都 610054 |
| 摘 要： | 本文就基体偏压、氧分压强和淀积后真空退火对ITO膜电阻率和透射率的影响作了理论和实验研究,通过比较理论和实验结果,弄清了宏观参数影响ITO膜电阻率的机理,并在实验基础上确定出最佳制膜参数。 |
| 关 键 词： | 电阻率 工艺参数 ITO膜 透射率 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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