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| 碳化硅MOSFET开关瞬态模型 | |
| 引用本文： | 夏逸骁,陶雪慧.碳化硅MOSFET开关瞬态模型[J].电子设计工程,2021,29(1):152-156. |
| 作者姓名： | 夏逸骁 陶雪慧 |
| 作者单位： | 苏州大学轨道交通学院,江苏苏州215000;苏州大学轨道交通学院,江苏苏州215000 |
| 摘 要： | 在碳化硅MOSFET大范围应用下,其开关瞬态过程愈发引人关注.由于碳化硅比起硅器件有更高的开关频率,因此其开关特性受到结电容和杂散电感的影响.对碳化硅MOSFET开关过程进行瞬态分析,推导了它的开关模型.通过开关模型提取出其电压变化率和电流变化率,在考虑杂散参数的基础之上寻找其与电压及电流变化率之间的联系.仿真及实验通... |
| 关 键 词： | 碳化硅MOSFET 开关模型 电压电流变化率 杂散参数 |
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