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| 基于耦合机制的AlN晶体生长速率模型 | |
| 作者姓名： | 郭森 张丽 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所, 天津 300220 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划;国家重点研发计划 |
| 摘 要： | 在耦合传热和物质传输两种机制的基础上建立了物理气相传输法AlN晶体生长速率模型.当生长压力为30,60,90 kPa时,生长速率模型计算结果和实验结果的偏差值均在20μm/h以内.尤其是当压力为60 kPa时,偏差值为-8μm/h.在此基础上进一步计算了不同工艺参数对生长速率和生长表面形状的影响.结果表明,随着生长压力... |
| 关 键 词： | AlN晶体 计算机模拟 耦合机制 生长速率 工艺参数 |
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