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| 28nm集成电路铜互连弱碱性阻挡层抛光液性能北大核心 | |
| 引用本文： | 李彦磊刘玉岭王辰伟李祥州岳昕.28nm集成电路铜互连弱碱性阻挡层抛光液性能北大核心[J].微纳电子技术,2016(7):478-482. |
| 作者姓名： | 李彦磊刘玉岭王辰伟李祥州岳昕 |
| 作者单位： | 1.河北工业大学电子信息工程学院300130; |
| 基金项目： | 国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)；河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267)；河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007) |
| 摘 要： | 报道了一种用于技术节点为28 nm的集成电路多层铜互连阻挡层化学机械平坦化(CMP)的弱碱性抛光液(pH值为8.5),仅由平均粒径为20 nm的硅溶胶、FA/O多羟多胺螯合剂及非离子表面活性剂组成。实验结果表明,研发的弱碱性阻挡层抛光液对牺牲层SiO2、阻挡层Ta及金属互连线Cu等多种材料具有优异的速率选择性,去除速率一致性大于95%,并在28 nm多层铜布线片阻挡层CMP后具有较高的平坦化性能,分别获得了20 nm以下深度的碟形坑和蚀坑。通过电化学极化曲线测试表明,此弱碱性阻挡层抛光液能有效减少Cu和Ta之间的腐蚀电位差,并避免了铜互连结构Cu和Ta界面处电偶腐蚀的产生,这对提高集成电路芯片可靠性具有重要意义。 |
| 关 键 词： | 集成电路(IC) 阻挡层 化学机械平坦化(CMP) 弱碱性抛光液 铜互连 |
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