|
|||||
|
|
| 宽禁带半导体技术的研究与开发在欧美快速展开 | |
| 作者姓名： | 云振新 |
| 摘 要： | <正>宽禁带半导体是指禁带宽度E_g＞2．0～6．0eV的一类半导体,如GaN、AlN、AlGaN、SiC、4H-SiC、6H-SiC等。它是继以Si、GaAs为代表的第一代、第二代半导体之后发展起来的第三代半导体。宽禁带半导体技术是一项战略性的高新技术,具有极其重要的军用价值和民用价值。用 |
| 关 键 词： | 宽禁带半导体 半导体技术 研究与开发 4H-SiC 大功率微波器件 欧美 6H-SiC 军用价值 禁带宽度 GaAs |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |