| 一种新颖的低电压CMOS带隙基准源设计 |
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| 引用本文： | 余国义,孙丽娟,邹雪城,刘三清.一种新颖的低电压CMOS带隙基准源设计[J].计算机与数字工程,2007,35(7):145-147. |
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| 作者姓名： | 余国义 孙丽娟 邹雪城 刘三清 |
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| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074 |
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| 摘 要： | 设计一种新颖的低电压CMOS带隙基准电压源电路.电路采用了适合低电源电压工作的nMOS输入对管折叠共源共栅运算放大器,并提出一种新颖的启动电路.基于SMICO.35μm标准CMOS工艺,Cadence Spectre仿真结果表明:在低于1-V的电源电压下,所设计的电路能稳定工作,输出稳定的基准电压为622mV,最低电源电压为760mV.不高于100KHz的频率范围内,电源噪声抑制比为-75dB.在-20℃到100℃范围内,温度系数20ppm/℃.
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| 关 键 词： | 带隙基准电压源 电源抑制比 温度系数 CMOS集成电路 |
| 修稿时间： | 2006年9月7日 |
A Novel Low Voltage CMOS Bandgap Reference |
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| by Yu Guoyi.A Novel Low Voltage CMOS Bandgap Reference[J].Computer and Digital Engineering,2007,35(7):145-147. |
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| Authors: | by Yu Guoyi |
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| Affiliation: | by Yu Guoyi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bandgap voltage reference PSRR temperature coefficient CMOS integrated circuit |
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