| 无压烧结碳化硅研究进展 |
| |
| 引用本文： | 王静,张玉军,龚红宇.无压烧结碳化硅研究进展[J].陶瓷(咸阳),2008(4):17-20. |
| |
| 作者姓名： | 王静 张玉军 龚红宇 |
| |
| 作者单位： | 山东大学材料科学与工程学院,济南,250061 |
| |
| 摘 要： | 碳化硅具有良好的高温性能以及化学稳定性,已广泛应用于许多领域.综述了无压烧结碳化硅烧结助剂体系的研究进展,综述了碳化硅原料种类、烧结助剂种类及用量、成形工艺、烧结工艺对无压烧结碳化硅性能的影响.
|
| 关 键 词： | 碳化硅 无压烧结 烧结助剂 烧结温度 无压 烧结碳化硅 研究进展 Silicon Carbide 影响 高温性能 烧结工艺 成形工艺 用量 原料种类 体系 烧结助剂 应用 化学稳定性 |
The Development of Pressureless-sintered Silicon Carbide |
| |
| Wang Jing,Zhang Yujun,Gong Hongyu.The Development of Pressureless-sintered Silicon Carbide[J].Ceramics,2008(4):17-20. |
| |
| Authors: | Wang Jing Zhang Yujun Gong Hongyu |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
