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| Si中30°部分位错和单空位相互作用的分子动力学模拟 | |
| 引用本文： | 王超营,孟庆元,王云涛.Si中30°部分位错和单空位相互作用的分子动力学模拟[J].金属学报,2009,45(4). |
| 作者姓名： | 王超营 孟庆元 王云涛 |
| 作者单位： | 哈尔滨工业大学航天科学与力学系,哈尔滨150001 |
| 摘 要： | 利用基于Stillinger-Weber（SW）势函数的分子动力学方法分析了Si中30°部分位错和单空位（V1）的相互作用．不同温度、剪应力作用下的计算结果表明，在温度恒定条件下，剪应力较小时，V1对位错有钉扎作用；当施加的剪应力达到临界剪应力时，位错脱离V1的钉扎继续运动，并且将V1遗留在晶体中；随温度的升高，临界剪应力近似线性下降．通过不含V1和含有V1的模型中位错芯位置的对比后发现，V1对滑过它的30°部分位错有明显的加速作用． |
| 关 键 词： | Si 30& #176 部分位错 单空位 分子动力学 弯结 |
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