Si中30°部分位错和单空位相互作用的分子动力学模拟 |
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引用本文: | 王超营,孟庆元,王云涛.Si中30°部分位错和单空位相互作用的分子动力学模拟[J].金属学报,2009,45(4). |
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作者姓名: | 王超营 孟庆元 王云涛 |
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作者单位: | 哈尔滨工业大学航天科学与力学系,哈尔滨150001 |
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摘 要: | 利用基于Stillinger-Weber(SW)势函数的分子动力学方法分析了Si中30°部分位错和单空位(V1)的相互作用.不同温度、剪应力作用下的计算结果表明,在温度恒定条件下,剪应力较小时,V1对位错有钉扎作用;当施加的剪应力达到临界剪应力时,位错脱离V1的钉扎继续运动,并且将V1遗留在晶体中;随温度的升高,临界剪应力近似线性下降.通过不含V1和含有V1的模型中位错芯位置的对比后发现,V1对滑过它的30°部分位错有明显的加速作用.
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关 键 词: | Si 30& #176 部分位错 单空位 分子动力学 弯结 |
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