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| 提高CMOS电路抗闩锁能力的阱源结构设计 | |
| 作者姓名： | 黄胜明 宋钦岐 |
| 作者单位： | 骊山微电子公司(黄胜明)，骊山微电子公司(宋钦岐) |
| 摘 要： | 提出了一种较好的抗闩锁CMOS结构——阶源结构.对阶源结构和常规结构的CMOS反相器进行了电触发闩锁特性和激光器辐照实验研究,就实验结果进行了分析讨论. |
| 关 键 词： | CMOS 电路 抗闩锁 阱源结构 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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