| CdZnTe晶体沉淀物特性的研究 |
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| 引用本文： | 盛锋锋,杨建荣.CdZnTe晶体沉淀物特性的研究[J].功能材料,2013,44(Z1):44-47,52. |
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| 作者姓名： | 盛锋锋 杨建荣 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 中科院国防科技创新基金资助项目 |
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| 摘 要： | 通过观察和分析CdZnTe晶体中富Te和富Cd沉淀物在红外透射显微镜下的形貌特征,从实验上证实在正四面体或八面体结构的富Te沉淀物内部存在空洞。分析表明,和正四面体沉淀物相邻的CdZnTe材料表面为(111)B面,构成八面体的另外4个面为(111)A面,(111)B面为表面能密度最低的慢生长面。结合化学腐蚀的观察结果发现,红外透射显微镜下呈星状结构的富Cd沉淀物由中心区沉淀物和外围高密度位错集聚区构成,中心区沉淀物大多为不规则形状。通过分析〈111〉和〈110〉晶向上富Cd沉淀物的形貌特征,确定了星状结构的延伸方向为〈211〉晶向,高密度位错集聚区的大小比沉淀物尺寸大出数倍。对沉淀物与周边材料的作用机理也进行了分析。
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| 关 键 词： | CdZnTe 缺陷 沉淀物 |
Characterization of precipitates in CdZnTe single crystals |
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| SHENG Feng-feng
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YANG Jian-rong.Characterization of precipitates in CdZnTe single crystals[J].Journal of Functional Materials,2013,44(Z1):44-47,52. |
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| Authors: | SHENG Feng-feng YANG Jian-rong |
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| Affiliation: | (Key Laboratory of Infrared Image Materials and Devices,Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CdZnTe defect precipitates |
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