|
|||||
|
|
| 硅片键合过程中的接触面积 | |
| 作者姓名： | 韩伟华 余金中 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室，北京100083 |
| 摘 要： | 给出了估计硅片在键合过程中实际接触面积的理论模型．模型描述了硅片表面的凸起分布及其弹性形变对接触面积的影响．对于满足键合条件的硅片表面，荷载压力和表面吸附是促使接触面积增加的主要因素． |
| 关 键 词： | 接触面积 理论模型 凸起分布 弹性形变 硅片直接键合 SOI材料 功率半导体器件 表面吸附 荷载压力 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |