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分类号
杂志ISSN号
硅片键合过程中的接触面积
作者姓名:
韩伟华 余金中
作者单位:
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083
摘 要:
给出了估计硅片在键合过程中实际接触面积的理论模型.模型描述了硅片表面的凸起分布及其弹性形变对接触面积的影响.对于满足键合条件的硅片表面,荷载压力和表面吸附是促使接触面积增加的主要因素.
关 键 词:
接触面积 理论模型 凸起分布 弹性形变 硅片直接键合 SOI材料 功率半导体器件 表面吸附 荷载压力
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