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纳米晶须SiC受激拉曼光散射性质研究
引用本文:张洪涛,徐重阳. 纳米晶须SiC受激拉曼光散射性质研究[J]. 激光杂志, 2002, 23(3): 17-18
作者姓名:张洪涛  徐重阳
作者单位:[1]华中理工大学,电子科学与技术系,武汉430074 [2]湖北工学院,电气工程与计算机科学系,武汉430068
基金项目:湖北省重大项目 (2 0 0 0Z0 40 0 7)资助,武汉市重点攻关项目资助
摘    要:本文讨论了分布在SiO2中纳米碳化硅晶须的拉曼受激散射现象。在用非晶态SiO2包覆的纳米碳化硅材料中,随纳米碳化硅含量增高,激发阈值降低,激发强度增大。这是由于量子限域效应所致。随纳米晶须的半径降低,激发阈值降低;并且随激发波长的增长,蓝移减小。

关 键 词:拉曼受激散射 纳米碳化硅晶须 光学性质 量子限域效应 半导体
修稿时间:2001-12-08

Properties of stimulatd Raman scattering of SiC nanorods distributed in silicon oxide
Zhang Hongtao Xu Zhongyang. Properties of stimulatd Raman scattering of SiC nanorods distributed in silicon oxide[J]. Laser Journal, 2002, 23(3): 17-18
Authors:Zhang Hongtao Xu Zhongyang
Affiliation:Zhang Hongtao 1 Xu Zhongyang 2
Abstract:The stimulated Raman scattering of silicon carbide nanorods distributed in silicon oxide is discussed in this paper.The exiting threshold decreases with increase of SiC nanorods content in silicon oxide and decrease of radius of SiC nanorods;which is ascribed to quantum confinement effect.The blue shift is reduced with increase of exciting wavelength.
Keywords:Stimulated Raman Scattering  Silicon Carbide-Nanorods  Photonics  Quantum Confinement Effect.
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