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| MOVPE生长Hg1—xdCdxdTe薄膜的实验研究 | |
| 引用本文： | 张怀岩,杨玉林,等.MOVPE生长Hg1—xdCdxdTe薄膜的实验研究[J].红外技术,2002,24(4):35-38,26. |
| 作者姓名： | 张怀岩 杨玉林 |
| 作者单位： | [1]云南大学材料科学与工程系，昆明650091 [2]昆明物理研究所，昆明650223 |
| 摘 要： | 采用金属有机化合物汽相外延法（MOVPE）和多层膜互扩散生长工艺（IMP）在不同的生长条件下生长了许多Hg1-xCdxTe/GaAs(211）薄膜样品，并对样品进行了傅利红外透射（FTIR）和范德堡Hall测量，通过对许多实验数据进行系统的对比分析，总结了薄膜的生长规律，并对这些生长规律作出了理论分析，阐释了薄膜的微观生长机制。 |
| 关 键 词： | 衬底 汽相外延 多层膜互扩散 厚度 半导体 红外探测器 |
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