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| 用AES和XPS技术研究半绝缘多晶硅薄膜 | |
| 引用本文： | 王云珍,蒋长根.用AES和XPS技术研究半绝缘多晶硅薄膜[J].半导体学报,1986,7(6):596-601. |
| 作者姓名： | 王云珍 蒋长根 |
| 作者单位： | 华东师范大学 (王云珍)，上海测试技术研究所(蒋长根) |
| 摘 要： | 本文用俄歇电子能谱仪(AES)和X射线光电子能谱仪(XPS)研究半绝缘多晶硅(SIPOS)薄膜中硅的化学价态.通过对Si LVV俄歇谱谱线形状和位移以及Si(2p)芯态峰位移的分析,揭示了SIPOS膜是由元素Si、SiO和SiO_2组成.经过1100℃高温退火的SIPOS 膜经历了一个再结构过程——SiO_2成份增强和SiO向Si_2O_3的转变. |
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