|
|||||
|
|
| MOCVD生长CdTe薄层的缺陷研究 | |
| 作者姓名： | 彭承 陆叶华 孙恒慧 唐文国 李自元 |
| 作者单位： | [1]复旦大学物理系，上海200433 [2]中国科学院上海技物所红 |
| 摘 要： | 用光激电流瞬态谱(PICTS)和光致发光光谱(PL)对在半绝缘GaAs衬底上MOCVD生长的CdTe薄层的缺陷进行了研究。发现CdTe薄层中存在热激活能约为0.12eV和0.27eV的二个能级。对照光致发光光谱的实验结果及有关体单晶CdTe的缺陷报道,初步分析认为第一个能级是受主能级,它由CdTe薄层中的剩余杂质所引起,而另一个能级则可能与材料的晶格缺陷有关。 |
| 关 键 词： | 碲化镉 MOCVD生长 缺陷 CdTe |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |