|
|||||
|
|
| 半导体微腔中电偶极子的自发发射 | |
| 引用本文： | 刘文楷,曲延峰,等.半导体微腔中电偶极子的自发发射[J].光电子．激光,2002,13(1):12-15. |
| 作者姓名： | 刘文楷 曲延峰 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 2. 中国科学院半导体研究所神经网络实验室,北京,100083 3. 河北工业大学电气信息学院,天津,300130 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (698962 60 ,6993 70 10 ) |
| 摘 要： | 由于反射电场的影响，电偶极子在微腔中的自发发射速度不同于自由空间中的自发发射速度。本文采用镜像法计算了理想平面微腔、金属平面镜组成的半导体微腔和由分布布喇格反射镜（DBR）作为谐振腔的垂直发射激光器（VCSEL）中电偶极子的自发发射速率。计算结果表明：由于微腔的调制作用，在某些情况下电偶极子自发发射速率增加，在一定腔长下电偶极子自发发射速度被抑制。 |
| 关 键 词： | 自发发射速率 半导体微腔激光器 垂直腔面发射激光器 电荷极子 |
| 文章编号： | 1005-0086(2002)01-0012-04 |
| 修稿时间： | 2001年6月15日 |
Spontaneous Emission of Electrical Dipoles in a Semiconductor Microcavity |
|
| LIU Wen kai,LIN Shi ming,QU Yan feng,WU Shu,ZHANG Cun shan.Spontaneous Emission of Electrical Dipoles in a Semiconductor Microcavity[J].Journal of Optoelectronics·laser,2002,13(1):12-15. | |
| Authors: | LIU Wen kai LIN Shi ming QU Yan feng WU Shu ZHANG Cun shan |
| Affiliation: | LIU Wen kai 1,LIN Shi ming 1,QU Yan feng 2,WU Shu 1,ZHANG Cun shan 3 |
| Abstract: | Because of the reflected field the spontaneous emission rate of an electrical dipole in semiconductor microcavity is different from that in free space.In this paper the spontaneous emission rate of an electrical dipole in an ideal plane microcavity,semiconductor microcavity with mentallic mirriors and vertical cavity surface emitting lasers (VCSEL) with distributed Bragg reflectors has been calculated by fictitious image method.Calculation indicates that in microcavity the spontaneous emission rate of an electrical dipole can be enhanced in some condition and in some cavity length the spontaneous emission rate can be inhibited. |
| Keywords: | Spontaneous emission rate Semiconductor microcavity laser Vertical cavity surface emitting lasers(VCSEL) |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《光电子．激光》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《光电子．激光》下载全文 | |